Sputtering 100是費勉儀器專為大學和科研院所開發(fā)的磁控薄膜沉積設備，用于生長超導薄膜、磁性薄膜、光學及裝飾涂料、固態(tài)薄膜鋰電池、有機電子產(chǎn)品（OLED 和 OPV）、光伏和電子產(chǎn)品的鈣鈦礦薄膜、剝離工藝的薄膜等。Sputtering 100 型磁控濺射系統(tǒng)使用完全模塊化的磁控濺射源，容易拆裝更換或維修。Sputtering 100型磁控濺射系統(tǒng)配備了完整的泵站、真空儀表、配電箱、電子機架，以及安全聯(lián)鎖，可以手動或通過計算機控制來操作。系統(tǒng)預留各類型號接口，并提供多種擴展，以滿足客戶的薄膜沉積要求。
| ● 適用于納米級的單層及多層薄膜的生長 | ● 成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現(xiàn)大面積鍍膜 | ● 可以與超高真空互聯(lián)系統(tǒng)進行對接 |
Sputtering 100 | 模塊描述 | 配置參數(shù) | |
生長室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
腔體尺寸 | 400mm I.D. | ||
烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
本底真空 | < 8×10-9mbar | ||
抽氣系統(tǒng) | 700L/s分子泵+10L/s機械泵 | ||
真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī)+薄膜規(guī)+Pirana規(guī) | ||
離子泵/TSP/NEG | 選配 | ||
樣品架 | 樣品最大尺寸 | 6 inch | |
襯底加熱方式 | SiC加熱 | ||
襯底加熱器溫度 | 1000℃ | ||
襯底最大旋轉速度 | 30RPM | ||
濺射靶組 | 靶槍數(shù)量 | 6個 | |
靶槍尺寸 | 2 inch | ||
電源配置 | DC（500W）/RF(1000W) | ||
靶頭 | 角度及位置可調 | ||
進氣方式 | 靶面進氣 | ||
獨立的磁控擋板 | 氣動驅動 | ||
質量流量計 | 四路/50sccm | ||
部件 | QCM | 標配 | |
Ion Source | 選配 | ||
RGA | 選配 | ||
快速進樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
本底真空 | < 5×10-8mbar | ||
抽氣系統(tǒng) | 80L/s分子泵+10L/s機械泵 | ||
真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī) | ||
部件 | 樣品停放臺 | 3工位 | |
傳樣桿 | CF35/600mm | ||
軟硬件集成 | 控制軟件 | 標配 | |
紅外測溫儀 | 標配 | ||
烘烤系統(tǒng) | 標配 | ||
系統(tǒng)支架 | 標配 | ||
真空照明系統(tǒng) | 標配 | ||
泵車 | 選配 | ||
等離子清洗 | 選配 | ||
CCD相機 | 選配 | ||
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