DP系列摻雜源通常適用于Si，Be，GaTe等材料，可實現MBE系統中相對小束流的穩定控制和均勻精確摻雜。DP摻雜源緊湊的結構及較小的熱質量，使其束流響應快速，重復性高，穩定性好，可以獲得良好的摻雜曲線。錐形坩堝有助于在少量源材料及溫度較低的情況下實現高濃度摻雜，并確保摻雜均勻性。
| ● 超高真空兼容 | ● 內部采用獨特的加熱絲設計，可確保坩堝受熱均勻 | ● 多層線接觸式隔熱鉭筒，大幅降低熱輻射損失 |
| ● 溫度穩定性優于±0.2℃ | ● 配備獨立水冷套，蒸發源與水冷套可單獨拆卸 |
| 蒸發源型號 | DP22 | DP25 | DP65 | DP220 | |
| 坩堝容積 (cc) | 22 | 25 | 65 | 220 | |
| 安裝法蘭尺寸 | CF35 | CF63 | CF100 | CF150 | |
| 總長度 (mm) | 410 | 472.2 | 533.5 | 592 | |
| 真空內長度 (mm) | 282.6 | 325.2 | 380 | 460 | |
| 真空內外徑 (mm) | 33.3 | 51.8 | 77.8 | 103 | |
坩堝尺寸 (mm) | 口部外徑 | 32.8 | 51 | 77 | 102 |
| 口部內徑 | 19.9 | 34 | 52.3 | 74.5 | |
| 高度 | 89.7 | 54.2 | 69 | 105 | |
| 坩堝材質 | PBN | ||||
| 坩堝形狀 | 錐形坩堝 | ||||
| 加熱方式 | 輻射加熱，PBN支撐鉭片 | ||||
| 熱電偶 | C型/W-Re 5%-26% | ||||
| 溫度穩定性 | ≤±0.2℃ | ||||
| 工作溫度 | 300-1350℃ | ||||
| 最高除氣溫度 | 1350℃ | ||||
| 烘烤溫度 | 250℃ | ||||
| 訂購編碼 | 3205010068 | 3205010054 | 3205010030 | 3205010169 | |
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