超高真空兼容的SH-Ta系列加熱器采用特殊繞制的高純鉭絲輻射加熱，可垂直安裝至分子束外延系統中，非常適用于生長各種化合物半導體材料。樣品臺容許承載4、6、8inch襯底托盤，可根據MBE系統選用不同型號的SH-Ta系列加熱器。加熱區采用高純鉭、鉬及PBN材料，可最大限度減少高溫狀態下材料放氣及產生顆粒。襯底旋轉采用獨特的耐高溫磁耦合旋轉驅動結構，烘烤過程中無需拆除磁鐵，可保證襯底在生長溫度下連續旋轉較長時間，無需進行維護。特殊設計的加熱絲分布，可實現襯底表面均勻加熱。
| ● 螺旋鉭絲輻射加熱 | ● 最高工作溫度可達1000℃ | ● 襯底可連續旋轉(0-60RPM) |
| ● 全片溫度均勻性優于±3℃ | ● 適用于不同尺寸的襯底 |
| 加熱器型號 | SH800-Ta | SH800P-Ta | SH1000-Ta | SH2000-Ta | |
| 氣體負載 | MBE800 | MBE800P | SH1000 | SH2000 | |
| 加熱盤尺寸(mm) | 170 | 206 | 284 | 462 | |
| 托盤尺寸(mm) | 126 | 185 | 270 | 400 | |
| 安裝法蘭 | CF250 | CF250 | CF350 | WS600 | |
| 加熱絲數目 | 1 | 2 | |||
| 加熱絲材質 | 螺旋鉭絲 | ||||
| 加熱方式 | 輻射加熱 | ||||
| 熱電偶 | C型 / W-Re 5%-26% (可選配K型) | ||||
| 常用旋轉速度 | 0-40 RPM，最高轉速60RPM | ||||
| 常用工作溫度 | 800℃ | ||||
| 最高除氣溫度 | 1000℃ | ||||
| 溫度穩定性 | ≤±0.2℃ | ||||
| 溫度均勻性 | ≤±3℃ | ||||
| 烘烤溫度 | 250℃ | ||||
| 訂購編碼 | 3205010037 | 3205010184 | 3205010149 | 3205010185 | |
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